3， 醇鋁水解法即為-醇鋁法。宣城有一家是用的這種方法，目前日本和美國也主要采取這種工藝生產(chǎn)高純度氧化鋁，產(chǎn)品純度-到5個9，主要用于led藍寶石長晶行業(yè)。這種工藝比較復雜，國內(nèi)能掌握此技術(shù)的很少。和直接水解法相比，這種工藝的主要優(yōu)點是：
1高純鋁和醇類反應充分，不需要加工成粉末，避免加工過程中帶入fe，ti等雜質(zhì)引入。
2可以再次提純，反應得到的-醇鋁可以在230-250度下8級塔板精餾，以氣態(tài)的形式收集高純-醇鋁，鐵、鈦、鎳、鋯、鉛、鎂等金屬雜質(zhì)不會氣化，留在釜底。 冷凝下來的高純-醇鋁還可以再次用陶瓷膜分離，游離金屬雜質(zhì)鉀，鈉，鋅等都被除去。
3粉體在凈化室內(nèi)5n氮氣氛圍下煅燒減少了污染。
4塊體采用1000噸預壓，再等靜壓，密度可以達到3.7。
太陽能板構(gòu)成及各部分功能
3電池片：主要作用就是發(fā)電，ic芯片回收，發(fā)電主體市場上主流的是晶體硅太陽電池片、薄膜太陽能電池片，兩者各有優(yōu)劣。
晶體硅太陽能電池片，設備成本相對較低，但消耗及電池片成本-，但光電轉(zhuǎn)換效率也高，在室外陽光下發(fā)電比較適宜。
薄膜太陽能電池片，相對設備成本較高，但消耗和電池成本很低，但光電轉(zhuǎn)化效率相對晶體硅電池片一半多點，但弱光效應-，在普通燈光下也能發(fā)電，如計算器上的太陽能電池。
按硅片直徑劃分：
硅片直徑主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸300mm，目前已發(fā)展到18英寸450mm等規(guī)格。直徑越大，在一個硅片上經(jīng)一次工藝循環(huán)可制作的集成電路芯片數(shù)就越多，每個芯片的成本也就越低。因此，直徑硅片是硅片制各技術(shù)的發(fā)展方向。但硅片尺寸越大，對微電子工藝設各、材料和技術(shù)的要求也就越高。
按單晶生長方法劃分：
直拉法制各的單晶硅，稱為cz硅片;磁控直拉法制各的單晶硅，稱為mcz硅片;懸浮區(qū)熔法制各的單晶硅，稱為fz硅片;用外延法在單晶硅或其他單晶襯底上生長硅外延層，稱為外延硅片。
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