車載逆變器電路工作原理
圖1電路中，由芯片ic1及其-電路、三極管vt1、vt3、mos功率管vt2、vt4以及變壓器t1組成12v直流變換為220v/50khz交流的逆變電路。由芯片ic2及其-電路、三極管vt5、vt8、mos功率管vt6、vt7、vt9、vt10以及220v/50khz整流、濾波電路vd5－vd8、c12等共同組成220v/50khz高頻交流電變換為220v/50hz工頻交流電的轉換電路，電腦組件價格，通過xac插座輸出220v/50hz交流電供各種便攜式電器使用。
電池片的檢驗
一十三、印刷圖型
主柵線：
1級：主柵線容許有輕度斷開、缺少、歪曲、突顯，斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況燒糊、變黃
新的規范：主柵大小勻稱，不容許有斷開，缺少、歪曲及其突顯。
b級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況燒糊、變黃
新的規范：主柵大小勻稱，容許有斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況燒糊、變黃
c級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況
新的規范：主柵線：斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm，
副柵線：
1級：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的5%.
新的規范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開，斷掉總數≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點；不容許有掉色狀況。
b級：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，打印機定影組件價格，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的10%.
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影響因素
1 ．頻率
射頻 pecvd 系統大都采用 50khz~13.56 mhz 的工業頻段射頻電源。較高頻率 >;4mhz 沉積的氮化硅薄膜具有-的鈍化效果和穩定性。
2 ．射頻功率
增加 rf 功率通常會- sin 膜的。但是，功率密度不宜過大，超過 1w/cm2 時器件會造成-的射頻損傷。
3 ．襯底溫度
pecvd 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能-氮化硅薄膜在hf 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有-的熱穩定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應力很大且為張應力，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂。
4 ．氣體流量
影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是 sih4 。為了防止富硅膜，選擇nh3/sih4=2~20 體積比。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應區下游反應氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以-沉積的均勻性。
5 ．反應氣體濃度
sih4 的百分比濃度及 sih4/nh3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質均有重大影響。
理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉積的氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 sin 。因此，必須控制氣體中的 sih4 濃度，不宜過高，并采用較高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 ．反應壓力、和反應室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數
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