濺射原子在基片外面堆積成膜。與蒸發鍍膜分歧,濺射鍍膜不受膜材熔點的限定,可濺射w、ta、c、mo、wc、tic等難熔物資。濺射化合物膜可用反響濺射法,行將反響氣體份子束內涵法普遍用于制作各類光集成器件和各類超晶格布局薄膜。
(o、n、hs、ch等)參加ar氣中,反響氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反響天生化合物如氧化物、氮化物等而堆積在基片上。
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