六、鍍減反射膜
拋光硅表面的反射率為35%，為了減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜。現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用pecvd設(shè)備制備減反射膜。pecvd即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體sih4和nh3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半導(dǎo)體材料的基石，它是先通過拉單晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的價電子數(shù)為4，序數(shù)適中，
三、擴(kuò)散制結(jié)
太陽能電池需要一個大面積的pn結(jié)以實現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽能電池pn結(jié)的設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上-部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用-液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把p型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣將-帶入石英容器，通過-和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過一定時間，回收三星芯片，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體的交界面，也就是pn結(jié)。這種方法制出的pn結(jié)均勻性好，方塊電阻的不均勻性小于百分之十，少子壽命可大于10ms。制造pn結(jié)是太陽電池生產(chǎn)基本也是關(guān)鍵的工序。因為正是pn結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣就形成了電流，南通芯片，用導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。
太陽能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測——表面制絨——擴(kuò)散制結(jié)——去磷硅玻璃——等離子刻蝕——鍍減反射膜——絲網(wǎng)印刷——快速燒結(jié)等。
電路板清洗技術(shù)
3、 免清洗技術(shù)
在焊接過程中采用免清洗助焊劑或免清洗焊膏，焊接后直接進(jìn)入下道工序不再清洗，
免清洗技術(shù)是目前使用多的一種替代技術(shù)，尤其是移動通信產(chǎn)品基本上都是采用免洗方法來替代ods。目前-已經(jīng)開發(fā)出很多種免洗焊劑，國內(nèi)如北京晶英公司的免清洗焊劑。
免清洗焊劑大致可分為三類：
1 松香型焊劑：再流焊接使用rma，可免洗。
2 水溶型焊劑：焊后用水清洗。
3 低固態(tài)含量助焊劑：免清洗。免清洗技術(shù)具有簡化工藝流程、節(jié)省制造成本
和污染少的優(yōu)點。近十年來，免清洗焊接技術(shù)、免清洗焊劑和免清洗焊膏的普遍使用，是20 世紀(jì)末電子產(chǎn)業(yè)的一大特點。取代cfcs 的途徑是實現(xiàn)免清洗。
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