太陽電池的分選對組件的性能及控制起著極其重要的作用，南京電池片，它將不僅影響到組件的電性能輸出，而且極有可能引起曲線異常和熱斑現象，導致組件的早期失效。本文從測試設備的軟、硬件方面著手，詳細分析了影響電池分選的主要原因，并且針對每個主要原因進行實驗分析、驗證，提出解決方案，終發現對電池片fv曲線擬合可以有效地解決電池片分選的問題，并終通過大量的數據分析驗證方案的有效性，目前這一方法已得到廣泛應用。
2、擴散
擴散是為電池片制造---，回收抵債返修電池片，是為電池片制造p-n結，pocl3是當前磷擴散用較多的選擇。pocl3為液態磷源，液態磷源擴散具有生產效率較高、穩定性好、制得pn結均勻平整及擴散層表面---等優點。
pocl3在大于600℃的條件下分解生成五---pcl5和五氧化二磷p2o5，pcl5對硅片表面有腐蝕作用，當有氧氣o2存在時，pcl5會分解成p2o5且釋放出---，所以擴散通氮氣的同時通入一定流量的氧氣。p2o5在擴散溫度下與硅反應，生成二氧化硅和磷原子，生成的p2o5淀積在硅片表面與硅繼續反應生成sio2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃psg，回收庫存電池片，磷原子向硅中擴散，制得n型半導體。
六、鍍減反射膜
拋光硅表面的反射率為35%，為了減少表面反射，提高電池的轉換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜。現在工業生產中常采用pecvd設備制備減反射膜。pecvd即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體sih4和nh3，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半導體材料的基石，它是先通過拉單晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的價電子數為4，序數適中，
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