在容積小于10pf時，可采用b檔(±0.1pf)、c檔(±0.25pf)、d檔(±0.5pf)三種精度二、是以x7r為ii類物質的高頻電容器，其溫度系數為±15，電容量相對性平穩，適用各種各樣旁通、藕合、濾波電路等，其容積精度關鍵為k檔(±10)。特殊情況下，可給予j檔(±5)精度的。電容量相對性平穩，適用各種各樣旁通、藕合、濾波電路等，其容積精度關鍵為k檔(±10)不一樣種類的電容器，應用---率不一樣。中小型黑云母電容器在250mhz之內;圓片型瓷介電容器為300mhz;圓鋼管型瓷介電容器為200mhz;園盤型瓷介可以達到3000mhz;中小型紙介電容器為80mhz;中小型紙介電容器僅有8mhz。三、是以y9v為ii類物質的低---電容器，其溫度系數為： 30～-80，電容量受溫度、工作電壓、時間轉變很大，一般只適用各種各樣濾波電路中。
這也是為什么許多線路板在高頻率器件vcc引腳處置放小電容的緣故之一在vcc腳位上一般串聯一個去藕電容，那樣溝通交流份量就從這一電容接地裝置。配備標準以下：開關電源鍵入端跨接線一個10～100uf的電解電容器，假如印制電路板的部位容許，選用100uf之上的電解電容器的抗干擾性實際效果會---。為每一個集成電路芯片芯片配備一個0.01uf的瓷器電容器。如碰到印制電路板室內空間小而放不進時，可每4～10個芯片配備一個1～10uf鉭電解電容器，這類器件的高頻率特性阻抗尤其小，在500khz～20mhz范疇內特性阻抗低于1ω，并且泄露電流不大0.5ua下列。針對噪音工作能力弱、關閉時電流量轉變大的器件和rom、ram等儲存型器件，應在芯片的電源插頭vcc和接地線gnd間立即連接去耦電容。去耦電容的導線不可以太長，尤其是高頻率旁通電容不可以帶導線。
電力電容器的安全運行
5.1允許運行電流
正常運行時,電容器應在額定電流下運行,*大運行電流不得超過額定電流的1.3倍,三相電流差不超過5 %。
5.2允許運行電壓
電容器對電壓十分敏感,因電容器的損耗與電壓平方成正比,過電壓會使電容器------,電容器絕緣會加速老化,壽命縮短,甚至穿。因此,電容器裝置應在額定電壓下運行,一般不宜超過額定電壓的1.05倍,*高運行電壓不宜超過額定電壓的1.1倍。當母線超過1.1倍額定電壓時,須采取降溫措施。
5.3諧波問題
由于電容器回路是一個lc電路,對于某些諧波容易產生諧振,易造成高次諧波,使電流增加和電壓升高。且諧波的這種電流對電容器非常有害,極容易使電容器擊穿引起相間短路。因此,當電容器在正常工作時,在---時可在電容器上串聯適當的感抗值的電抗器,以---諧波電流。
電容器回收能自愈嗎？電容器如果能夠自愈，則其可以快速恢復工作，保障用戶供電和生產的持續性和安全性，這對于用戶而言是很重要的。目前低壓電力電容器，主要采用金屬化薄膜電容器回收，即以金屬化聚薄膜為基礎材料生產的電容器回收，以這種材料生產的電容器都是具有自愈特性的。因此：目前的大部門低壓電力電容器回收都是金屬化薄膜電容器，金屬化薄膜電容器是自愈式電容器。補充：自愈是啥意思呢？當金屬化薄膜電容器介質擊穿內部故障時，短路電流會使擊穿部位周圍的金屬膜融化蒸發，從而恢復絕緣即電容器恢復正常工作狀態。
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