振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，屋頂拆卸電池板回收，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，-測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，-償還，返工，光伏模塊回收等。
刻蝕工藝
刻蝕目的
將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈，避免 pn 結短路造成并聯電阻降低。
刻蝕原理
采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應， 采用高頻輝光放電反應，使反應氣體-成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴散到硅片邊緣，在那里與硅進行反應，形成揮發性生成物四-硅而被去除。
化學公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工藝流程
預抽，主抽，送氣，輝光，抽空，清洗，預抽，主抽 ，電池板，充氣。
影響因素
1. 射頻功率
射頻功率過高：等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導致邊緣區域的電性能差從而使電池的性能下降。在結區耗盡層造成的損傷會使得結區復合增加。
射頻功率太低：會使等離子體不穩定和分布不均勻，從而使某些區域刻蝕過度而某些區域刻蝕不足，導致并聯電阻下降。
2. 時間
刻蝕時間過長：刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大，時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結區，從而導致損傷區域高復合。
刻蝕時間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈， pn 結依然有可能短路造成并聯電阻降低。
4. 壓力
壓力越大，氣體含量越少，參與反應的氣體也越多，刻蝕也越充份。
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單晶硅太陽能電池片
太陽能電池片特性
光電轉換-，-性高。
-的擴散技術，-擴散的均勻性。
-的 pecvd 成膜技術，給電池表面鍍上深藍色的氮化硅減反射膜，顏色均勻美觀。
應用-的金屬漿料制作背場和電極，--的導電性、-的附著力和-的電極可焊性。
-的絲網印刷和高平整度，使得電池易于自動焊接和激光切割。
a--- 電池邊長 ;
b--- 正面主柵線背面電極中心間距;
c--- 正面主柵線背面電極中心到電池邊沿距離 ;
d--- 細柵線末端到電池邊沿距離;
e--- 正面主柵線寬度 ;
f--- 鋁背場邊到電池邊沿距離 ;
g--- 背電極寬度 ;
h--- 電池對角線長度 ;
i--- 背電極頂端到電池邊沿距離
單位： mn
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電池片生產工藝流程
一 、 制絨
a. 目的
在硅片的表面形成坑凹狀表面，減少電池片的反射的太陽光，增加二次反射的面積。 一般情況下，用堿處理是為了得到金字塔狀絨面；用酸處理是為了得到蟲孔狀絨面。不管是哪種絨面，都可以提高硅片的陷光作用。
b.流程
1. 常規條件下，硅與單純的hf、hno 3 硅表面會被鈍化，二氧化硅與hno 3 不反應認為是不反應的。但在兩種混合酸的體系中，硅則可以與溶液進行持續的反應 。
硅的氧化
-/亞-hno 2 將硅氧化成二氧化硅主要是亞-將硅氧化
si+4hno 3 =sio 2 +4no 2 +2h 2 o (慢反應
3si+4hno 3 =3sio 2 +4no+2h 2 o (慢反應
二氧-、一氧-與水反應，生成亞-，亞-很快地將硅氧化成二氧化硅 。
2no 2 +h 2 o=hno 2 +hno 3 (快反應
si+4hno 2 =sio2+4no+2h 2 o (快反應先一步的主反應
4hno 3 +no+h 2 o=6hno 2 (快反應
只要有少量的二氧-生成，就會和水反應變成亞-，只要少量的一氧-生成，就會和-、水反應很快地生成亞-，亞-會很快的將硅氧化，生成一氧-，一氧-又與-、水反應 ， 這樣一系列化學反應終的結果是造成硅的表面被快速氧化，-被還原成氮氧化物。
二氧化硅的溶解
sio 2 +4hf=sif 4 +2h 2 o(四-硅是氣體
sif 4 +2hf=h 2 sif 6
總反應
sio 2 +6hf=h 2 sif 6 +2h 2 o
終反應掉的硅以-的形式進入溶液。
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