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選擇振蕩器時(shí)需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。cmos放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，hc04反相器門電路的功率耗散電容值是90pf。在4mhz、5v電源下工作時(shí)，航天級(jí)晶振價(jià)格，相當(dāng)于1.8ma的電源電流。再加上20pf的晶振負(fù)載電容，通訊設(shè)備晶振價(jià)格，整個(gè)電源電流為2.2ma。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10ma ~60ma。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻固定器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如max7375，晶振價(jià)格，工作在4mhz時(shí)只需不到2ma的電流。在特定的應(yīng)用場(chǎng)合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。
因?yàn)樾盘?hào)是反饋到vt1發(fā)射極，現(xiàn)假設(shè)vt1發(fā)射極電壓瞬時(shí)極性為“+”，集電極電壓極性為“+”發(fā)射極與集電極是同相關(guān)系，當(dāng)發(fā)射極電壓上升時(shí)集電極電壓也上升，vt2的基極電壓極性為“+”，發(fā)射極電壓極性也為“+”，該極性的電壓通過x1反饋到vt1的發(fā)射極，反饋電壓極性與假設(shè)的電壓極性相同，故該反饋為正反饋。
接通電源后，三極管vt1、vt2導(dǎo)通，vt2發(fā)射極輸出變化的ie電流中包含各種頻率的信號(hào)，石英晶體x1對(duì)其中的f0信號(hào)阻抗很小，f0信號(hào)經(jīng)x1、rp1反饋到vt1的發(fā)射極，該信號(hào)經(jīng)vt1放大后從集電極輸出，又加到vt2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過x1反饋到vt1放大，如此反復(fù)進(jìn)行，vt2輸出的f0信號(hào)幅度越來越大，vt1、vt2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小，當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時(shí)，輸出f0信號(hào)幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號(hào)。
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