半導體行業cmp技術還廣泛的應用于集成電路(ic)和---規模集成電路中(ulsi)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展，對拋光技術提出了新的要求，拋光劑批發，傳統的拋光技術如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。
化學拋光適用什么材料？工藝原理是如何的
化學拋光主要用不銹鋼、銅及銅合金等�；瘜W拋光對鋼鐵零件，尤其是低碳鋼有較好的拋光效果，拋光劑廠家，所以對于一些機械拋光時較為困難的鋼鐵零件，可采用化學拋光。
原理：化學拋光是靠化學試劑的化學浸蝕作用對樣品表面凹凸不平區域的選擇性溶解作用消除磨痕、浸蝕整平的一種方法�；瘜W拋光設備簡單，能夠處理細管、帶有深孔及形狀復雜的零件，生產。化學拋光可作為電鍍預處理工序，也可在拋光后輔助以---的防護措施直接使用。
由于鋁和鋁合金的易加工性能以及其表面經過處理后的高耐腐蝕性能，越來越多的鋁合金制品被用于民用和工業用品中。為了提高鋁合金制品的裝飾性能，需要對其表面進行各種處理，其中化學拋光是一種賦于鋁合金表面靚麗的處理工藝。
傳統的三酸化學拋光液是由70％磷酸、20％---、10％組成。在這種拋光液中是充當一種緩蝕劑的作用，具有氧化性在使用時與鋁進行反應而被還原成棕黃色的二氧---氣體，拋光劑銷售，二氧---對操作人員的---會造成---的傷害，拋光劑，同時二氧---也腐蝕工廠里內的機械設備。另外由于三酸拋光作業一般在100℃左右進行，易揮發和分解，通常的消耗速度過快，需頻繁的對其含量進行分析和補加，造成鋁合金工件批次間的光澤波動較大，也不利于自動線連續性操作。
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