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浙大科創中心研發團隊張輝教授介紹,使用新技術路線生長的氧化鎵晶圓有兩個優勢: 一是使用這種方法生長出的氧化鎵晶圓的晶有特,使得制作的功率器件具有較好的性能 二是由于采用了熔體法新路線,減少了銥的使用,使得氧化鎵生長過程不僅更簡單可控,成本也,具有的產業化前景
經檢測,科創中心采用新技術路線研制出的這批氧化鎵晶圓的導電類型為半絕緣型,直徑尺寸達到50.8plusmn 0.5mm,表面粗糙度小于0.5nm,光學透過率,高分辨x射線搖擺曲線測試半高寬小于100弧秒,衍射峰均勻對稱,單晶較好,關鍵技術指標已達領域內的水平
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氧化鎵行業前景廣闊,多國爭搶15億美元市場 當前,以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導體材料迅速發展,但不容忽視的是,以氧化鎵和銻化鎵為主的半導體材料也正在逐漸走進人們的視野 據悉,使用氧化鎵制作的半導體器件可以實現更耐高壓、更小體積、損耗,可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發電等領域在能源方面的消耗
有分析師預測,到2030年,氧化鎵功率半導體市場規模將達15億美元 從全球范圍來看,對于半導體氧化鎵的研究,以日本#為 早在2012年,日本便獲得2英寸氧化鎵材料,并于2014年實現了批量產業化,隨后又實現了4英寸氧化鎵材料的突破及產業化
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據中國電子報,日本企業novell crystal technology正聯合村田制作所、三菱電機、日本電裝和富士電機等科技,以及東京農工大學、京都大學和日本#信息與通信研究院等科研機構,推動氧化鎵單晶及襯底材料以及下游功率器件的產業化發展
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