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存儲芯片的制程工藝較為特殊，除了中小容量的存儲芯片，其余存儲芯片主要用制程工藝制造，幾年前開始，內存行業的制程不再使用確切的數字，而是用1x、1y、1z表示，存儲芯片制程發展到1xnm，1ynm，1znm1x相當于16-19nm，1y相當于14-16nm，1z相當于12-14nm階段，很難在再進一步縮小，因為隨著制程工藝的提高，到達一定水平后，存儲芯片的穩定性會下降，但后續各廠商又提出了1alpha
由于樓宇自動化系統不需要識別個人或支持對其活動的監控，而且紅外圖像傳感器價格昂貴，因此該技術從上是不合適的 市場上的另一款產品則是簡單的熱釋電紅外 (pir) 傳感器，大多數人都熟悉它作為觸發安全燈和者警報的運動檢測設備
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nm，1beta nm，1gamma nm等制程工藝，據美光科技表示，1alpha nm相當于10nm級別的制程，業內一般認為10nm制程工藝是一個臨界點 如nand flash的制程發展已經達到，開始另辟蹊徑從2d轉向3d發展
這些設備，但無法檢測到靜態的人員 此外，它們僅檢測 10μm 波長附近的發射紅外線的物體的運動，而不測量溫度 這兩種傳感器類型的特性為另一種傳感器留下了空間，即：可以生成具有足夠詳細溫度數據的熱圖以供使用、且不會損害用戶-的傳感器
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存儲芯片可以細分為dram、nand flash、nor flash等三大類產品 dram早先使用成熟制程制造，但隨著時間發展，其制程工藝越來越，三星、sk海力士、美光等均進入制程制造階段 nand flash方面，16nm制程以上的閃存如28nm多屬于平面閃存，也被成為
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