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to8/1o0-c7/4p浪涌保護器 尼瑪構建新一代電力系統
來源：microchip 作者：mike ziehl 與之前的gaas和橫向擴散金屬氧化物半導體ldmos一樣，氮化gan是一項性技術，在實現未來的射頻、微波和毫米波系統方面能夠發揮作用
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不過，它并不是一劑“靈丹妙藥”，其他技術仍然可以發揮重要作用 當氮化gan射頻功率晶體管于 2000 年代中期在和阿富汗戰場上應用到反簡易物裝置時，這項技術還處于起步階段 如今，在從到通信和 5g 的各大市場中，gan 分立器件和單片式微波集成電路mmic儼然已成為gaas的競爭
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這種情況有著充分的理由：gan 的功率密度，可以在給定的裸片面積上產生比用于產生射頻功率的任何其他半導體技術更高的射頻功率 此外，其工作電壓為 gaas 器件的五倍，工作電流為 gaas 器件的兩倍，10 ghz 以上時的功率附加效率更高，而且支持在高溫下工作
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那么，這是否意味著 gan 將在所有應用中取代 gaas？是否定的，這就是 microchip 制造分立式以及 gan 和 gaas mmic 產品并擁有業內#豐富的射頻半導體產品之一的原因，這些產品涵蓋從低噪聲放大器到前端模塊、射頻二極管、交換芯片、電壓可變衰減器、saw 和 mems振蕩器以及將單片機與射頻收發器相結合的集成模塊wi-fi174
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