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7月27日，英特爾召開制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會。會上，英特爾ceo帕特·基辛格表示，英特爾正在通過半導體制程工藝和封裝技術(shù)來實現(xiàn)技術(shù)的，并公布有史以來###詳細的制程工藝和封裝技術(shù)發(fā)展路線。
幾十年來，英特爾在芯片制程工藝方面一直處于，然而，隨著市場競爭的激烈，英特爾逐漸失去了很多優(yōu)勢。為此，英特爾開始重振旗鼓，表示在2025年之前重返產(chǎn)業(yè)###。為了達到這一目標，英特爾在芯片制程方面可謂是下足了功夫。先前，有媒體稱，英特爾有意斥資300億美元收購晶圓代工大廠格芯，而這或許與英特爾全新的制程工藝發(fā)展線路息息相關(guān)。
據(jù)帕特·基辛格介紹，數(shù)十年來，芯片制程工藝節(jié)點的名稱以晶體管的柵極長度來命名。然而如今，整個行業(yè)對于芯片工藝節(jié)點的命名也開始多樣化，這些多樣的方案既不再指代任何具體的度量方法，也無法體現(xiàn)如何能夠?qū)崿F(xiàn)能效和性能的平衡。因此，英特爾從性能、功耗和面積等各方面進行了綜合考慮，對芯片制程工藝采用新的命名體系。
在發(fā)布會上，英特爾公布了未來5年芯片制程的技術(shù)路線圖，并采用了新的命名體系，分別是intel 7此前稱之為10納米enhanced superfin、intel 4此前稱之為intel 7納米、intel 3以及intel 20a。
intel 7工藝擁有###佳的finfet的晶體管，與intel 10nm superfin相比，每瓦性能將提升大約10%~15%。intel 7的優(yōu)勢包括更高的應變能力、的電阻材料、更新型的高密度刻蝕技術(shù)、擁有流線型結(jié)構(gòu)以及采用更高的金屬堆棧來實現(xiàn)布線優(yōu)化。據(jù)了解，于2021年推出的面向的alder lake，以及預計將于2022年###季度投產(chǎn)的面向數(shù)據(jù)中心的sapphire rapids將會采用intel 7工藝。
intel 4將完全采用euv光刻技術(shù)，可使用超短波長的光來刻印極微小的圖樣。與intel 7相比，intel 4的每瓦性能將提高約20%。據(jù)了解，intel 4將于2022年下半年投產(chǎn)，2023年出貨，將會應用在面向的meteor lake和面向數(shù)據(jù)中心的granite rapids。
在intel 3工藝中，隨著finfet技術(shù)的進一步優(yōu)化，以及euv技術(shù)使用的不斷完善，將實現(xiàn)與intel 4相比每瓦性能約18%的提升，在芯片面積上也將會有改進。據(jù)悉，intel 3將于2023年下半年開始在相關(guān)產(chǎn)品中使用。
在intel 3工藝后，芯片制程將會越來越接近1納米節(jié)點，進入更微小的埃米時代。因此，intel 3之后的工藝，英特爾也改變了命名方式，命名為intel 20a。
intel 20a將憑借ribbonfet和powervia兩大突破性技術(shù)開啟埃米時代。ribbonfet是英特爾實現(xiàn)gate all around晶體管的關(guān)鍵技術(shù)，這也是自2011年以來英特爾推出finfet技術(shù)之后的###全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，且實現(xiàn)了與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流的同時，占用更小的空間。powervia是英特爾的、也是業(yè)界###背面電能傳輸網(wǎng)絡，能通過消除晶圓正面供電的布線需求來優(yōu)化信號傳輸。intel 20a預計將在2024年推出，且在此制程工藝技術(shù)中，英特爾將會與高通公司進行合作。而近期，英特爾也與高通簽訂協(xié)議，將為高通提供代工服務，而這或許也是英特爾向inter 20a技術(shù)邁進的關(guān)鍵一步。
在芯片制程方面積極布局的同時，英特爾在封裝方面也可謂是煞費苦心。在此次發(fā)布會中，英特爾也，微軟aws 將成為###使用英特爾代工服務ifs中封裝解決方案的客戶。對于封裝技術(shù)，英特爾也提出了四點發(fā)展路線。
其一，emib技術(shù)。emib將采用2.5d的嵌入式橋接解決方案，sapphire rapids也將成為###采用emib技術(shù)的產(chǎn)品，也將成為業(yè)界###與單片設計性能相似，且整合了兩個光罩尺寸的器件。繼sapphire rapids之后，下一代 emib的凸點間距將從55微米縮短###45微米。
其二，foveros技術(shù)。foveros將利用晶圓級封裝技術(shù)，提供###3d堆疊解決方案。meteor lake是在產(chǎn)品中實現(xiàn)foveros技術(shù)的第二代部署，該產(chǎn)品具有36微米的凸點間距，熱設計功率范圍為5w~125w。
其三，foveros omni技術(shù)。foveros omni是下一代的foveros技術(shù)，通過3d堆疊技術(shù)，使得裸片到裸片的互連和模塊化設計變得靈活。foveros omni技術(shù)可將裸芯片進行分解，且實現(xiàn)不同晶圓制程節(jié)點的多個頂片與多個基片進行混合搭配，該項技術(shù)預計將于2023年量產(chǎn)。
其四，foveros direct技術(shù)。foveros direct可實現(xiàn)銅對銅鍵合的轉(zhuǎn)變，也可以實現(xiàn)低電阻的互連。foveros direct 擁有10微米以下的凸點間距，使3d堆疊的互連密度有了的提升，為功能性裸片的分區(qū)提出了新的概念。foveros direct技術(shù)是對 foveros omni技術(shù)的補充，預計也將于 2023年量產(chǎn)。
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