KRI 離子源用于離子束濺射鍍制 GE 納米薄膜的研究

伯東企業上海有限公司為您提供kri 離子源用于離子束濺射鍍制 ge 納米薄膜的研究。在硅襯底上生長 ge ---點唄認為是可能實現 si 基發光的重要途徑, 對 si 基光電子、微電子或單電子器件有重要影響.
某研究所采用伯東 kri 離子源用于離子束濺射鍍制 ge 納米薄膜的研究.
該研究采用的是 fjl560 iii 型真空多靶磁控與離子束聯合濺射設備的離子束濺射室內制備樣品, 生長室的本底真空度低于 4x10-4pa.
其系統工作示意圖如下：
該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統主要由濺射室、離子源、濺射靶、基片臺等部分組成.
用于濺射的離子源采用伯東的 kri ---型射頻離子源 380, 其參數如下:
伯東 kri ---型射頻離子源 rficp 380 技術參數：
portant;"> 射頻離子源型號
portant;"> rficp 380
portant;"> discharge 陽極
portant;"> 射頻 rficp
portant;"> 離子束流
portant;"> >1500 ma
portant;"> 離子動能
portant;"> 100-1200 v
portant;"> 柵極直徑
portant;"> 30 cm φ
portant;"> 離子束
portant;"> ---
portant;"> 流量
portant;"> 15-50 sccm
portant;"> 通氣
portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
portant;"> 典型壓力
portant;"> < 0.5m torr
portant;"> 長度
portant;"> 39 cm
portant;"> 直徑
portant;"> 59 cm
portant;"> 中和器
portant;"> lfn 2000
理由：
---型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
生長室的本底真空度低于 4x10-4pa, 經采用伯東泵組 hicube 80 pro, 其技術參數如下：
分子泵組 hicube 80 pro 技術參數:
portant;"> 進氣法蘭
portant;"> 氮氣抽速
n2, l/s
portant;"> ---真空 hpa
portant;"> 前級泵
型號
portant;"> 前級泵抽速
m3/h
portant;"> 前級真空
安全閥
portant;"> dn 40 iso-kf
portant;"> 35
portant;"> < 1x10-7
portant;"> pascal 2021
portant;"> 18
portant;"> avc 025 ma
運行結果：
得到了尺寸較均勻的 ge 島, 島的數量也很多.
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