伯東企業上海有限公司為您提供kri-型射頻離子源rficp380用于制備超薄tem樣品。普通傳統的制樣減薄方法存在遠端的薄區極易彎曲和薄區厚度不均勻的問題, 因此某機構采用伯東kri ---型射頻離子源 rficp 380 通過交叉減薄的方法制備超薄 tem 樣品.
交叉減薄
交叉減薄的過程利用 tem 樣品臺的旋轉來完成, 如下圖.
tem 樣品臺模型圖
伯東 kri ---型射頻離子源 rficp 380 技術參數:
portant;"> 射頻離子源型號
portant;"> rficp 380
portant;"> discharge 陽極
portant;"> 射頻 rficp
portant;"> 離子束流
portant;"> >1500 ma
portant;"> 離子動能
portant;"> 100-1200 v
portant;"> 柵極直徑
portant;"> 30 cm φ
portant;"> 離子束
portant;"> ---
portant;"> 流量
portant;"> 15-50 sccm
portant;"> 通氣
portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
portant;"> 典型壓力
portant;"> < 0.5m torr
portant;"> 長度
portant;"> 39 cm
portant;"> 直徑
portant;"> 59 cm
portant;"> 中和器
portant;"> lfn 2000
理由:
使用 kri ---型射頻離子源 rficp 380 可以準確、靈活地對樣品選定的區域進行刻蝕、沉積和減薄.
運行結果:
1. 通過利用 kri ---型射頻離子源 rficp 380 和樣品臺交叉減薄得到的薄區非常均勻, 邊緣整齊. 相比較傳統減薄方法, 交叉減薄避免了樣品在傾斜52°和56°減薄時出現的邊緣收縮問題和遠端薄區彎曲問題.
2. 對于復合材料---降低了位于兩相界面處薄區的厚度, 提高了樣品, 提高了制樣的成功率和效率.
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