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拋光硅表面的反射率為35%,為了表面反射,電池的轉換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。工業生產中常采用pecvd設備制備減反射膜。pecvd即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體sih4和nh3,氣體經一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下,使用這種等離子增強型化學氣相沉積的沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學的功能性。利用薄膜干涉原理,可以使光的反射大為,電池的短路電流和輸出就有很大,效率也有相當的!经h江/常規太陽能路燈廠家多少錢一套/環江/6米太陽能路燈廠家在當地】規劃分為總體規劃和局部規劃 初將酯類劑與類劑或百菌清復配,但近轉向與sdhi類劑復配,以殼針孢菌septoriaspp.引起的病害,但有時也采用類+酯類+sdhi類的多元復配產品。
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